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    臺(tái)積電準(zhǔn)備新一代CoPoS封裝技術(shù):最快2028年末量產(chǎn) 英偉達(dá)有望是首個(gè)客戶(hù)

    本站6月12日消息,據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)積電正積極籌備新一代 CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate) 封裝技術(shù),該技術(shù)能將封裝基板尺寸顯著擴(kuò)展至310 x 310mm甚至更大。

    CoPoS的核心創(chuàng)新在于將中介層“面板化”,這是對(duì)現(xiàn)有CoWoS-L和CoWoS-R(基于方形基板)的進(jìn)一步演進(jìn)。其本質(zhì)是用大型矩形面板基板替代了傳統(tǒng)的圓形晶圓作為載體。

    根據(jù)規(guī)劃,臺(tái)積電將于2026年建立CoPoS試點(diǎn)生產(chǎn)線,2027年重點(diǎn)進(jìn)行工藝優(yōu)化以滿足合作伙伴需求,目標(biāo)在2028年底至2029年初實(shí)現(xiàn)CoPoS量產(chǎn)。

    與FOPLP(扇出型面板級(jí)封裝)一樣,CoPoS(基板上面板芯片封裝)也采用大型面板基板進(jìn)行封裝,不過(guò)兩者存在一些差異。FOPLP是一種不需要中介層的封裝方法,芯片直接重新分布在面板基板上,并通過(guò)重分布層(RDL)互連。

    這種方法具有成本低、I/O密度高、外形尺寸靈活等優(yōu)勢(shì),適用于邊緣AI、移動(dòng)設(shè)備和集成密度適中的中端ASIC等應(yīng)用。

    CoPoS則引入了中介層,從而有著更高的信號(hào)完整性和穩(wěn)定的功率傳輸,對(duì)于集成GPU和HBM芯片的高端產(chǎn)品來(lái)說(shuō)效果更好。同時(shí)中介層材料正從傳統(tǒng)的硅變?yōu)椴AВ瑢⑻峁└叩某杀拘б婧蜔岱€(wěn)定性。預(yù)計(jì)未來(lái)CoPoS將取代CoWoS-L,而英偉達(dá)很可能會(huì)是首個(gè)合作伙伴。

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