本站9月3日消息，昨天美國知名的投行高盛給出觀點稱，中國先進芯片制造業(yè)落后西方技術(shù)20年。
投資銀行高盛認(rèn)為，中國光刻機公司至少落后美國同行20年。光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造的幾個環(huán)節(jié)之一，也是阻礙中國制造高端芯片的唯一瓶頸。最先進的光刻機由荷蘭公司ASML制造，由于其依賴美國原產(chǎn)的零部件，美國政府有權(quán)限制其對華銷售。
在高盛看來，美國對中芯國際施加制裁，限制其采購極紫外 (EUV) 芯片制造光刻機，這意味著中芯國際只能用更舊的工藝以更高成本的方式生產(chǎn)7nm芯片。
這份報告也是引發(fā)了關(guān)注，隨后他們也給出了上述觀點的核心原因，中國缺乏制造先進光刻掃描儀的能力，因為它們需要的零部件在全球范圍內(nèi)生產(chǎn)，主要在美國和歐洲。
光刻是芯片制造工藝中的幾個步驟之一。它涉及將芯片設(shè)計從光掩模轉(zhuǎn)移到硅晶圓上。高端設(shè)備，例如ASML的EUV和高數(shù)值孔徑EUV掃描儀，能夠在硅晶圓上轉(zhuǎn)移更小的電路圖案，從而提高芯片性能。圖案轉(zhuǎn)移后，會進行蝕刻，形成最終布局，并在整個制造過程中沉積其他材料并清潔晶圓。
因此，光刻技術(shù)對于在晶圓上復(fù)制精細(xì)電路至關(guān)重要，這意味著光刻設(shè)備是芯片制造過程中的瓶頸。
鄭重聲明：本文版權(quán)歸原作者所有，轉(zhuǎn)載文章僅為傳播更多信息之目的，如作者信息標(biāo)記有誤，請第一時間聯(lián)系我們修改或刪除，多謝。
